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    為什么要在制造過程中采取防靜電控制措施?

    2017-05-27 09:30:00  來源:
    為什么要在制造過程中采取防靜電控制措施?我們從以下三個方面來說明:

    1.多數(shù)電子元器件是靜電敏感器件

    多數(shù)未采取保護(hù)措施的元器件靜電放電敏感度都是很低,很多在幾百伏的范圍,如MOS單管在100-200V之間,GaAsFET在100-300V之間,而且這些單管是不能增加保護(hù)電路的;一些電路尤其是CMOSIC采取了靜電保護(hù)設(shè)計,可雖然以明顯的提高抗ESD水平,但大多數(shù)也只能達(dá)到2000-4000V,而在實際環(huán)境中產(chǎn)生的靜電電壓則可能達(dá)到上萬伏(如第1章的表1.4和表1.6。因此,沒有防護(hù)的元器件很容易受到靜電損傷。而且隨著元器件尺寸的越來減小,這種損傷就會越來越多。所以我們說,絕大多數(shù)元器件是靜電敏感器件,需要在制造、運(yùn)輸和使用過程中采取防靜電保護(hù)措施。

    2.靜電對電子行業(yè)造成的損失很大
    電子行業(yè)如微電子、光電子的制造和使用廠商因為靜電造成的損失和危害是相當(dāng)嚴(yán)重的。據(jù)美國1988年的報道,它們的電子行業(yè)中,由于ESD的影響,每年的損失達(dá)50億美元之多;據(jù)日本統(tǒng)計,它們不合格的電子器件中有45%是由于靜電而引起的;我國每年因靜電危害造成的損失也至少有幾千萬。美國Ti公司對某一年對客戶失效器件原因進(jìn)行分析統(tǒng)計結(jié)果,從中可以看到由EOS/ESD引起的失效占總數(shù)的47%;美國半導(dǎo)體可靠性新聞對1993年從制造商、測試方和使用現(xiàn)場得到的3400例失效案例進(jìn)行的統(tǒng)計,從中可以看到,EOS/ESD造成的失效也達(dá)到20%。而一個CMOS器件和一個雙極型器件在受到ESD損傷后芯片內(nèi)部的相貌像。
    ESD對電子元器件的危害還表現(xiàn)在它的潛在性。即器件在受到ESD應(yīng)力后并不馬上失效,而會在使用過程中逐漸退化或突然失效。這時的器件是“帶傷工作”。這是人們對靜電危害認(rèn)識不夠的一個主要原因。實際上,靜電放電對元器件損傷的潛在性和累積效應(yīng)會嚴(yán)重地影響元器件的使用可靠性。由于潛在損傷的器件無法鑒別和剔除,一旦在上機(jī)應(yīng)用時失效,造成的損失就更大。而避免或減少這種損失的*好辦法就是采取靜電防護(hù)措施,使元器件避免靜電放電的危害。
    對一種型號的兩組CMOS IC進(jìn)行過可靠性對比試驗。一組是經(jīng)歷過低于其失效閾值較多電壓的ESD試驗而功能完全正常的樣品,另一組是未經(jīng)過任何試驗的良品。壽命試驗的結(jié)果是前者的中位壽命(累積失效率為50%的壽命)低于后者2個量級以上。這充分說明了ESD潛在損傷對器件可靠性的影響。

    3.國內(nèi)外企業(yè)的狀況
    國際上在1979年成立了EOS/ESD研究協(xié)會,主要研究電子行業(yè)的EOS和ESD問題,尋求解決方法。美軍標(biāo)883E“微電路試驗方法”中關(guān)于ESD等級評價的標(biāo)準(zhǔn)已先后7次修訂,現(xiàn)在已是3015.7版,而且很多標(biāo)準(zhǔn)明確規(guī)定*微電路必須達(dá)到2kV的ESD等級。美國多數(shù)主要的電子制造商在八十年代初已經(jīng)建立了他們的ESD組織機(jī)構(gòu),專門負(fù)責(zé)ESD方面的工作,主要有防靜電設(shè)計、靜電檢測、靜電防護(hù)以及管理、培訓(xùn)等。
    與國際上發(fā)達(dá)國家相比,我國在這方面的工作起步要晚很多,差距也較大。直到*近幾年才真正重視和發(fā)展起來。在軍品方面,如修改版的國軍標(biāo)GJB548A-96和國軍標(biāo)128A-97 分別增加了對微電路和分立器件的靜電放電敏感度分類要求;并要求貫徹國標(biāo)的產(chǎn)品必須給出ESDS的值;在民品方面,合資和獨資企業(yè)的狀況較好,起步較早,大多參照國外企業(yè)的做法,在抗ESD設(shè)計和靜電防護(hù)方面都達(dá)到了較高的水平,如上海的貝嶺、南京的富士通、廣東北電等;而其它民品企業(yè)也已經(jīng)意識到靜電問題重要性,并在產(chǎn)品的抗靜電設(shè)計和生產(chǎn)線的靜電防護(hù)方面投入人員和資金,取得了很好的效果。
    雖然國內(nèi)企業(yè)正在逐步改進(jìn),但仍然存在不小的差距。舉例來說,如軍品CMOS電路還未提出2kV的要求;有些生產(chǎn)線豪華裝修,但無防靜電措施;從業(yè)人員缺乏關(guān)于ESD的上崗培訓(xùn)等。

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